0 Item(s)
0 Item(s)
Electro-Films (EFI) / Vishay
| Номер на частта | SI4477DY-T1-GE3 | Производител | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| описание | MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC | Статус за свободно състояние / състояние на RoHS | Без олово / RoHS съвместим |
| Налично количество | 93710 pcs | Информационен лист | SI4477DY-T1-GE3.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | Vgs (макс) | ±12V |
| технология | MOSFET (Metal Oxide) | Пакет на доставчик на устройства | 8-SO |
| серия | TrenchFET® | Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 18A, 4.5V |
| Разсейване на мощност (макс.) | 3W (Ta), 6.6W (Tc) | Опаковка | Tape & Reel (TR) |
| Пакет / касета | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Други имена | SI4477DY-T1-GE3-ND SI4477DY-T1-GE3TR SI4477DYT1GE3 |
| Работна температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | Тип монтаж | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL) | 1 (Unlimited) | Статус за свободно състояние / състояние на RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds | 4600pF @ 10V | Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| Тип FET | P-Channel | FET Feature | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 20V |
| Подробно описание | P-Channel 20V 26.6A (Tc) 3W (Ta), 6.6W (Tc) Surface Mount 8-SO | Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C | 26.6A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | От $ 35,00 основна такса за доставка зависи от зоната и страната. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | От $ 35,00 основна такса за доставка зависи от зоната и страната. |
| UPS | www.UPS.com | От $ 35,00 основна такса за доставка зависи от зоната и страната. |
| TNT | www.TNT.com | От $ 35,00 основна такса за доставка зависи от зоната и страната. |
