- Global Power Technologies Group
- - Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG"), основана през 2007 г., е интегрирана компания за разработка и производство, посветена на продукти, базирани на технологии на силициев карбид (SiC). Тези продукти ще бъдат основополагащи за силовата електроника и енергийната индустрия през следващите години, когато са необходими модерни технологии за нискостойностно и високоефективно производство, преобразуване и пренос на електроенергия.
Формуляр за заявка за заявка >
Свързани продукти

- GSXD060A004S1-D3
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227
- В наличност: 10764 pcs
- Изтегляне: GSXD060A004S1-D3.pdf
- RFQ

- S16BR
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE GEN REV 100V 16A DO203AA
- В наличност: 28492 pcs
- Изтегляне: S16BR.pdf
- RFQ

- GP1M009A020HG
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: MOSFET N-CH 200V 9A TO220
- В наличност: 5393 pcs
- Изтегляне: GP1M009A020HG.pdf
- RFQ

- GP2M008A060FG
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
- В наличност: 5947 pcs
- Изтегляне: GP2M008A060FG.pdf
- RFQ

- GP1M018A020FG
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
- В наличност: 4004 pcs
- Изтегляне: GP1M018A020FG.pdf
- RFQ

- GHXS030A120S-D3
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
- В наличност: 1670 pcs
- Изтегляне: GHXS030A120S-D3.pdf
- RFQ

- 1N1206A
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
- В наличност: 23380 pcs
- Изтегляне: 1N1206A.pdf
- RFQ

- GPA060A060MN-FD
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: IGBT 600V 120A 347W TO3PN
- В наличност: 38591 pcs
- Изтегляне: GPA060A060MN-FD.pdf
- RFQ

- 1N3209
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE GEN PURP 100V 15A DO5
- В наличност: 16528 pcs
- Изтегляне: 1N3209.pdf
- RFQ

- GP2D006A065C
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2
- В наличност: 46057 pcs
- Изтегляне: GP2D006A065C.pdf
- RFQ

- FR20DR02
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE GEN PURP REV 200V 20A DO5
- В наличност: 11699 pcs
- Изтегляне: FR20DR02.pdf
- RFQ

- GSXF120A060S1-D3
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: DIODE FAST REC 600V 120A SOT227
- В наличност: 6342 pcs
- Изтегляне: GSXF120A060S1-D3.pdf
- RFQ

- GHIS040A060S-A1
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: IGBT BOOST CHOP 600V 80A SOT227
- В наличност: 4452 pcs
- Изтегляне: GHIS040A060S-A1.pdf
- RFQ

- FR30BR02
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE GEN PURP REV 100V 30A DO5
- В наличност: 15023 pcs
- Изтегляне: FR30BR02.pdf
- RFQ

- GP2D030A120U
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: DIODE SIC 1200V 50A TO24
- В наличност: 6368 pcs
- Изтегляне: GP2D030A120U.pdf
- RFQ

- GP1M008A080FH
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
- В наличност: 4903 pcs
- Изтегляне: GP1M008A080FH.pdf
- RFQ

- 1N3890
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
- В наличност: 18745 pcs
- Изтегляне: 1N3890.pdf
- RFQ

- S6Q
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4
- В наличност: 16528 pcs
- Изтегляне: S6Q.pdf
- RFQ

- FST16060
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE MODULE 60V 160A TO249AB
- В наличност: 2163 pcs
- Изтегляне: FST16060.pdf
- RFQ

- GHIS100A120S2B1
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES
- В наличност: 466 pcs
- Изтегляне: GHIS100A120S2B1.pdf
- RFQ

- GPA042A100L-ND
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: IGBT 1000V 60A 463W TO264
- В наличност: 33345 pcs
- Изтегляне: GPA042A100L-ND.pdf
- RFQ

- GP1M003A080H
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: MOSFET N-CH 800V 3A TO220
- В наличност: 4675 pcs
- Изтегляне: GP1M003A080H.pdf
- RFQ

- S12G
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
- В наличност: 30245 pcs
- Изтегляне: S12G.pdf
- RFQ

- GP1M018A020CG
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
- В наличност: 5114 pcs
- Изтегляне: GP1M018A020CG.pdf
- RFQ

- FR30M05
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE GEN PURP 1KV 30A DO5
- В наличност: 14476 pcs
- Изтегляне: FR30M05.pdf
- RFQ

- GSXF100A120S1-D3
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: DIODE FAST REC 1200V 100A SOT227
- В наличност: 7066 pcs
- Изтегляне: GSXF100A120S1-D3.pdf
- RFQ

- FR12K05
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
- В наличност: 15138 pcs
- Изтегляне: FR12K05.pdf
- RFQ

- GP2D010A170B
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: DIODE SCHOTTKY 1.7KV 10A TO247-2
- В наличност: 5816 pcs
- Изтегляне:
- RFQ

- GP1M008A080H
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: MOSFET N-CH 800V 8A TO220
- В наличност: 5787 pcs
- Изтегляне: GP1M008A080H.pdf
- RFQ

- FR12D02
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
- В наличност: 19887 pcs
- Изтегляне: FR12D02.pdf
- RFQ

- FST12035
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE MODULE 35V 120A TO249AB
- В наличност: 2193 pcs
- Изтегляне: FST12035.pdf
- RFQ

- GP1M004A090FH
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
- В наличност: 4008 pcs
- Изтегляне: GP1M004A090FH.pdf
- RFQ

- FR16GR05
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4
- В наличност: 17257 pcs
- Изтегляне: FR16GR05.pdf
- RFQ

- 1N1189
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
- В наличност: 15337 pcs
- Изтегляне: 1N1189.pdf
- RFQ

- GP2M013A050F
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
- В наличност: 5620 pcs
- Изтегляне: GP2M013A050F.pdf
- RFQ

- FR30B02
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE GEN PURP 100V 30A DO5
- В наличност: 12592 pcs
- Изтегляне: FR30B02.pdf
- RFQ

- FR12G02
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
- В наличност: 15471 pcs
- Изтегляне: FR12G02.pdf
- RFQ

- GP2D030A060B
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247-2
- В наличност: 12526 pcs
- Изтегляне:
- RFQ

- FR16GR02
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4
- В наличност: 16819 pcs
- Изтегляне: FR16GR02.pdf
- RFQ

- GSID080A120B1A5
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: SILICON IGBT MODULES
- В наличност: 1651 pcs
- Изтегляне: GSID080A120B1A5.pdf
- RFQ

- FR20B02
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE GEN PURP 100V 20A DO5
- В наличност: 12457 pcs
- Изтегляне: FR20B02.pdf
- RFQ

- GP1M013A050H
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: MOSFET N-CH 500V 13A TO220
- В наличност: 4508 pcs
- Изтегляне: GP1M013A050H.pdf
- RFQ

- FR12B02
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
- В наличност: 20225 pcs
- Изтегляне: FR12B02.pdf
- RFQ

- S6JR
- Производители: GeneSiC Semiconductor
- описание: DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4
- В наличност: 28198 pcs
- Изтегляне: S6JR.pdf
- RFQ

- GP2M008A060CG
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
- В наличност: 4940 pcs
- Изтегляне: GP2M008A060CG.pdf
- RFQ

- GCMS010A120S7B1
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
- В наличност: 153 pcs
- Изтегляне: GCMS010A120S7B1.pdf
- RFQ

- GSXD100A018S1-D3
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227
- В наличност: 5757 pcs
- Изтегляне: GSXD100A018S1-D3.pdf
- RFQ

- GP2M005A060PGH
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
- В наличност: 5730 pcs
- Изтегляне: GP2M005A060PGH.pdf
- RFQ

- GP1M009A090H
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: MOSFET N-CH 900V 9A TO220
- В наличност: 5827 pcs
- Изтегляне: GP1M009A090H.pdf
- RFQ

- GP2D012A060A
- Производители: Global Power Technologies Group
- описание: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2
- В наличност: 24903 pcs
- Изтегляне: GP2D012A060A.pdf
- RFQ